技术编号:9208328
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及极紫外(Extreme Ultrav1let,EUV)光刻光源收集镜的刀架加工技术。技术背景以光刻宽度处于10nm以下的光刻技术,称为极紫外光刻技术。其中,实现22nm?45nm的刻线,已经作为了我国极紫外光刻光源到2020年的发展目标。目前国际上实现这一目标主要有激光等离子体(LPP)和放电等离子体(DPP)极紫外光刻光源两种,此两种方案通过Xe或Sn介质产生高温高密度等离子体实现13.5nm(2%带宽)辐射光输出。DPP光源主要由毛细管放电、...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。