一种提高晶圆间键合强度的方法技术资料下载

技术编号:9210162

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

氧化娃融合键合(Fusion Bonding)技术被普遍应用于互补式金属氧化娃影像 感测器(CMOS image sensor,CIS)及微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS)的3D封装制程中,其基本原理是通过Si-O键实现两片晶圆的互连。如图I所示 为键合界面的放大示意图。由于热氧氧化氧化硅的致密性比等离子体增强沉积氧化硅 (PE-TEOS)层的致密性更高,Si-O键的数量更多,因此键合强度更大,更适...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。

详细技术文档下载地址↓↓

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
该分类下的技术专家--如需求助专家,请联系客服