技术编号:9218269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。已知有存储单元三维排列而成的NAND (NOT AND,与非)型闪速存储器。发明内容本发明提供一种可提高动作性能的半导体存储装置及存储器控制器。实施方式的半导体存储装置包括多个串单元,其是积层多个存储单元而成并且是NAND串的集合;区块,其包含多个串单元,成为数据的抹除单位;以及寄存器,其针对每个串单元保持抹除特性信息。寄存器可将抹除特性信息输出至存储器控制器。附图说明图1是第I实施方式的存储器系统的框图。图2是第I实施方式的半导体存储装置的框图。图3是第...
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