技术编号：9218500
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路产业的发展，采用传统的缩小晶体管尺寸的方法来提高晶体管性能越来越受到成本和技术的限制。寻找新材料，新衬底，新器件结构成为进一步提高晶体管性能的首选。应变硅技术通过在传统的体硅器件中引入应力可以提高载流子的迁移率，且应变CMOS以体硅工艺为基础不需要复杂的工艺，因而正在作为一种廉价且高效的技术得到越来越广泛的应用。在应变硅技术中，MOS晶体管(有时叫MOS管或MOS器件)沟道区的张应力能够提升电子的迁移率，压应力能够提升空穴的迁移率。一般而言，在...
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