技术编号：9218505
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体装置等的制造工序中，具有在电介质上形成槽并将氧化硅膜埋入到槽内的工序。在这样的情况下，以往，利用CVD (Chemical Vapor Deposit1n化学气相沉积)法使甲硅烷(SiH4)那样的硅化合物和过氧化氢发生反应来形成氧化硅膜。发明内容发明要解决的问题但是，随着半导体装置的微细化，要求增大用于埋入氧化硅膜的槽的深宽比，若深宽比变大，则存在在埋入氧化硅膜时容易产生孔(日文求彳卜'' )、裂缝(日文A —A )这样的问题。因此，要求一种即使深...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。