技术编号:9218594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在功率半导体中,自发热是一种已知的问题,在AlGaN/GaN功率HEMT中,由于典型 的高功耗水平,这个问题显得特别重要。在静态和动态的情况下,GaNHEMT和GaN二极管 在应用板上进行测试时,被观察到要蒙受热效应之苦。在静态直流I-V测量中,自发热效应 得以显现,其中观察到当功耗增大时,饱和区出现明显的负斜率。电流崩塌是HEMT中的一 种"记忆"效应,其中流经器件的电流取决于先前施加到器件上的电压。温度越高,电流崩 塌的影响越坏。从而,在进行系统设计...
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