技术编号:9218680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路的发展,器件尺寸越来越小,集成度越来越高。而且,随着半导体器件特征尺寸由于器件尺寸越来越小而不断减小,传统的平面半导体制造技术已经无法使用,目前鳍式场效应晶体管在小尺寸领域被广发使用。在根据现有技术的鳍式场效应晶体管结构的制作方法中,工艺步骤比较复杂,而且有时候很难控制鳍的宽度以及各个鳍之间的间隔。所以,希望能够提供一种能够简化鳍结构形成工艺并且使得能够很好地控制鳍的宽度以及各个鳍之间的间隔的鳍式场效应晶体管结构制作方法。发明内容本发明所要解决...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。