技术编号:9218697
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。硅基异质结电池片是目前高效太阳能电池片研发的方向之一。硅基异质结电池片的衬底一般以N-型单晶硅片为主,一面通过与用PECVD方法沉积的非晶硅薄膜形成P-N结作为发射极,另一面用以相同方法沉积的同类型的非晶硅层作为背接触。P-N结的形成是在两种不同材料之间,一种是带宽约在1.12eV的单晶硅,另一种是带宽约在1.72eV的非晶硅薄膜。由于带宽的差异,两种材料界面形成的结称为异质结。对于异质结电池片,由于两种成结材料带宽的较大差异,导致这类电池片具备较高的开路...
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