技术编号:9219452
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着无线通信技术的发展,全球袭来了移动终端设备快速更新的浪潮,各种先进 的技术先后被发明并应用到移动终端设备的制造当中去。与此同时作为此类设备不可缺 少的重要组成部分,射频集成电路的芯片也迅速发展,集成规模不断扩大,工作频率不断提 高,传统的硅基材料已经不能满足要求。基于氮化镓衬底的MESFET就是在这种背景下被提 出应用,由于氮化镓材料良好的特性使得由它制造的晶体管具有很高的电子迀移率,很强 的抗辐射能力,较大的工作温度范围。由于芯片中晶体管的数量越来...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。