技术编号:9219487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着数字集成电路的不断发展,人们对数字集成电路的要求也越来越高,人们希 望器件的速度可以越来越快、功耗能够越来越低、成本也能越来越低,但是传统的MOS器件 因其诸多的局限性而不能满足人们的要求,而GaN金属一半导体场效应晶体管(MESFET)的 出现解决了人们的燃眉之急,这种MESFET器件以电子迀移率高、载流子漂移速度快、禁带 宽度大、抗辐射能力强、工作温度范围宽等诸多优点被广泛应用于各种数字集成电路中,其 中利用该GaN型MESFET开关而制作而成的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。