技术编号:9221220
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 溅射,或者称为物理气相沉积(PVD),早已被用于在半导体集成电路的制造中沉积 金属和相关材料。溅射的使用已延伸到将金属层沉积到高深宽比的孔(诸如过孔(via)或 其它垂直互连结构)的侧壁上。当前,先进的溅射应用包括沉积金属种晶层用于稍后在过 孔中电镀金属层和在过孔侧壁的介电材料上沉积阻挡层以防止金属层扩散至电介质中。 举例而言,氮化钛(TiN)金属化在后端工艺(back end of the line, BEOL)和前 端工艺(front end of ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。