技术编号:9230551
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为对高品质的半导体膜进行成膜的方法,有在晶片等基板上通过气相生长而使单结晶膜生长的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中,在被保持为常压或减压的反应室内的支承部上载置晶片。并且,一边将该晶片加热,一边将作为成膜的原料的源气体等的过程气体(process gas)从反应室上部的例如喷淋板向晶片表面供给。在晶片表面上发生源气体的热反应等,在晶片表面上使外延单结晶膜成膜。近年来,作为发光设备或有源设备的材料,GaN(氮化镓)类半导体设备受到关注。作为...
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