技术编号：9231320
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。肖特基器件属于一种低功耗、大电流、超高速的半导体器件，关键器件如击穿电压和正向压降等指标基本取决于外延层基底的参数，尤其尚性能的娃肖特基一极管对外延层的质量有更高的要求，如均匀性要好、过渡区要窄，缺陷密度要低等。目前肖特基器件首选重掺磷衬底上外延层，可以大幅降低正向压降，减小器件功耗，磷掺杂衬底(电阻率0.0007-0.0018WXcm)相比砷掺杂衬底(电阻率0.002-0.004WXcm),由于掺杂浓度更高，衬底杂质在高温下更易挥发，造成固相反扩作用更加...
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