半导体存储器件的制作方法技术资料下载

技术编号:9236373

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推进晶体管元件的小型化的目的在于获得高集成度。伴随着小型化,制造差异(manufacturing variat1n)变大,导致晶体管元件的属性存在显著差异。伴随着小型化,在确保可靠性并且降低电压以减少功耗方面也有所进步。为此,出现了 SRAM的写入裕度(write margin)降低的问题。针对该问题,提出了通过在写入的时候将位线设置为负电压以便改进存储器单元的存取MOS晶体管的电流驱动能力、来防止写入操作的故障的一种方法(专利文件I和2、非专利文件I和2...
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