技术编号:9236597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明111族氮化物器件及形成111族氮化物器件的方法本申请是国家申请号为201080030524.5 (国际申请号PCT/US2010/034579,国际申请日2010年5月12日,发明名称“高电压III族氮化物半导体器件”)之申请的分案申请。本发明涉及一种在III族氮化物半导体上制造的半导体器件。背景技术对于高功率电子应用来说,III族氮化物基器件具有很多超过硅基器件的潜在材料优势。其中,这些优势可以包括较大的带隙和击穿场,在二维电子气(2DEG)中...
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