技术编号:9236687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制造技术中,金属硅化物由于具有较低的电阻率且与其他材料具有很好的粘合性而被广泛应用于源/漏接触和栅极接触来降低接触电阻。高熔点的金属例如T1、Co,Ni等通过一步或多步退火工艺,与硅发生反应即可生成低电阻率的金属硅化物。随着半导体工艺水平的不断提高,特别是在45nm及其以下技术节点,为了获得更低的接触电阻,镍及镍的合金(例如NiPt)已成为形成金属硅化物的主要材料。随着超大规模集成电路特征尺寸的微缩化持续发展,场效应晶体管的尺寸也随之越来越小,且操...
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