技术编号：9236724
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在集成电路的后段工艺(BEOL)中，需要在半导体器件上形成互连层以连接半导体器件和外围电路。其中上述互连层包括互连介质层，设置于互连介质层中的通孔，以及设置于通孔中的金属层，且半导体器件和外围电路通过金属层形成电连接。随着超大规模集成电路中器件的尺寸的不断缩小，互连层中互连介质层和金属层之间形成的电容逐渐增大，进而导致集成电路中的信号延迟(RC延迟)逐渐增大。目前，通常采用低介电常数(Low-K)材料制作互连介质层以减少互连层中的电容。其中，材料的介电常数...
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