技术编号:9236800
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为了在半导体芯片上形成一设计的集成电路,一般是制作一光掩模,并在光掩模上形成一设计的布局图案,再通过黄光光刻制作工艺将光掩模上的图案转移到半导体结构表面的光致抗蚀剂层上,进而将集成电路的布局图案转移到半导体结构上。所以光刻制作工艺可说是半导体制作工艺中非常重要的关键步骤。由于在光掩模上所能制作出的图案的临界尺寸会受限于曝光机台的分辨率极限,因此当集成度逐渐提高,电路图案设计越来越小,在对这些高密度排列的光掩模进行曝光制作工艺以进行图案转移时,很容易产生光学...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。