技术编号:9236803
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在快速进步的半导体制造工业中,20纳米以下传统的器件已经不能满足摩尔定律的要求,但是3D器件鳍式场效应晶体管(Fin-FET)装置可用于许多逻辑及其他应用,且可整合成为各种不同的半导体装置。Fin-FET装置一般包括具有高深宽比的半导体鳍板,在鳍板中形成晶体管的沟道及源极/漏极区。Fin-FET装置由于更高的栅极宽长比,可以更进一步地减少短沟道效应及增加电流量。在Fin-FET工艺中,形成鳍(Fin)的方法一般有两种,一种是目前常用的在STI (浅沟槽隔离...
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