技术编号：9236805
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种沟槽式IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。背景技术在现有的沟槽式IGBT芯片中，其具体结构如图4所示包括P型注入区9，在P型注入区9上方分别做有N型缓冲区8和N型漂移区7，在N型漂移区7上方为P-body型区5，在P-body型区上均匀开有沟槽11，在沟槽11的内表面形成一层栅氧化层6，在沟槽11内填充有多晶硅3。在沟槽11的两侧做有N+型区4，形成IGBT芯片的MOS结构。在沟槽11以及N+型区4的上方覆盖有硼磷硅玻璃2，在IGBT芯片的最上方覆盖...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。