技术编号:9236882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明为一种,特别是一种软性纳米压印的。背景技术于同质、物性匹配的GaN磊晶基板上进行功率元件的结构磊晶与工序有助于建立元件指标特性;而采用异质基板(如蓝宝石、Si等)则有助于降低研发及生产成本,然受物性失配的影响,须进一步研发“低缺陷”的异质磊晶技术;此源于异质磊晶引入的晶格常数与热胀系数差异必然影响磊晶结构品质,造成磊晶层的缺陷与应力。于元件应用上,将严重影响元件的耐压性;而磊晶层应力导致晶圆翘曲,影响元件工序精确度,于大晶圆尺寸下,特别是采用高温生长...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。