技术编号:9240153
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在制造现代半导体集成电路(ICs)及其他电子元件的工艺中,时常理想的是在沉 积随后的层之前平坦化表面,以确保例如精确地形成光阻遮罩并保持堆迭的公差。在1C制 造过程中平坦化层的方法之一是化学机械平坦化(CMP)。一般来说,CMP涉及固持在研磨头 的基板对研磨材料的相对移动,以从基板去除表面的不平整。在CMP工艺中,研磨材料被研 磨流体润湿,该研磨流体可以含有研磨剂或化学研磨组成物中的至少一者。此工艺可用电 辅助,以电化学地平坦化基板上的导电材料。 平坦化...
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