技术编号：9248721
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。工业，环境和生物领域中日益增长的需求使得紫外线(UV)光探测器的研发受到广泛关注.。在紫外光电探测器开发方面，新一代宽禁带半导体材料，如(Al，In)GaN、钻石和SiC等显出优势。另一方面，具有宽的带隙一维(ID)的半导体纳米结构也被视为研发的高效率的紫外光电探测器的候选材料，如在ZnO纳米线、氧化镓纳米线、纳米薄片、GaN纳米线或其它金属氧化物纳米结构中均观察到光学灵敏度的显著提升。然而，在这些紫外探测器的开发中，必不可少的是读出电路，若想满足成像需求...
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