技术编号:9250123
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。自1988年D.J.Coe申请的美国专利中第一次提到了使用交替的p/n结构作为半导体功率器件的耐压层以来,各国学者相继独立发现了这一结构,其中,中国陈星弼于1993年申请了美国专利,用多个p/n柱结构代替传统的漂移区,由于引入了横向电场,他称之为“复合缓冲层”(Composite Buffer layer)。1995年,西门子公司的J.Tihanyi申请美国专利,提出了类似的思路和应用。从此以后,各国学者纷纷对此p/n结构进行了深入的研宄,并各自对此结构进...
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