技术编号:9250704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前文献中针对SiCBJT给出的驱动方式有三种单电源驱动、双电源驱动电路和离散型双电源驱动。如图1所示的单电源驱动电路,经低压侧开关管Sp S2组成的串联支路接在电源VCC与地之间,电阻Rb接在串联支路中点和SiC BJT基极之间,储能电容(^接在电阻1^两端。该驱动电路并不能同时满足驱动损耗最低和开关速度最快的要求。在很多情况下,集电极电流的最大值仅需应用在很短的时间内,在其他的大部分时间内都不需要使用到最大电流。如图2所示的双电源驱动电路,经低压侧开关...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。