技术编号：9251979
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 对于半导体器件制造中的氮化硅膜去除工序，例如可以看到，元件分离结构形成 工序中去除作为阻挡膜的氮化硅膜等各种各样的局面，但以往这样的工序通常是利用在 150 °C左右的高温下使用了磷酸硝酸混合液等的湿式蚀刻处理而实施的，几乎没有利用过 使用了磨粒的研磨工序。 例如，专利文献1中记载的方法中，通过在氧化硅磨粒中添加磷酸或磷酸衍生物， 使（相对于氮化硅膜的研磨速度V (相对于氧化硅膜的研磨速度）所表示的选择比最大成 为10倍左右。专利文献1中记载的研磨用组合...
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