技术编号：9252547
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 对于现有的硅太阳能电池元件的制造工序进行说明。 首先，为了促进陷光效应而实现高效率化，准备在受光面形成了纹理结构的P型 硅基板，接着，在三氯氧磷（POCl3)、氮气以及氧气的混合气体气氛中在800°C~900°C下进 行几十分钟的处理，在P型硅基板的表面同样地形成n型扩散层。接着，在受光面涂布银 (Ag)等电极糊剂、在背面侧涂布铝（Al)等电极糊剂后，进行热处理（烧成），由此获得太阳 能电池元件。 然而，由于太阳光不会入射到受光面侧的电极的正下方，因而该...
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