技术编号：9258426
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；然而，现有的刻蚀装置中，片架中外围的单晶硅与其内侧的单晶硅与反应气体的接触面积往往并不均匀，其造成整体单晶硅的加工精度收到影响。发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种传感器单晶硅刻蚀装置，其可有效改善刻蚀装置对于批量单晶硅的刻蚀精度。为解决上述技术问题，...
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