一种光刻返工去胶方法及其半导体形成方法技术资料下载

技术编号:9260886

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半导体由下到上的结构顺序是衬底、图膜、抗反射层、光刻胶,其中的衬底由下到上的结构顺序是硅基底、氧化物层和SiN层,氧化物层和SiN层覆盖在硅基底表面。其实底部的材质就是SiN。由于含N的SiN会直接导致涂覆的光刻胶(PR)中毒,即出现所谓的基脚效应(PR footing),进而影响光刻工艺的精度。为了消除上述的基脚效应,一般是在材质为SiN的抗反射层表面上生长一层氧化覆盖薄膜(oxide cap layer),以降低N对光刻胶的影响。在实际的光刻工艺过程中...
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