技术编号:9260886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体由下到上的结构顺序是衬底、图膜、抗反射层、光刻胶,其中的衬底由下到上的结构顺序是硅基底、氧化物层和SiN层,氧化物层和SiN层覆盖在硅基底表面。其实底部的材质就是SiN。由于含N的SiN会直接导致涂覆的光刻胶(PR)中毒,即出现所谓的基脚效应(PR footing),进而影响光刻工艺的精度。为了消除上述的基脚效应,一般是在材质为SiN的抗反射层表面上生长一层氧化覆盖薄膜(oxide cap layer),以降低N对光刻胶的影响。在实际的光刻工艺过程中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。