技术编号：9262007
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。根据中断对器件供电时是否丢失已存储的数据，将半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器的操作模式分为写模式或编程模式、读模式和擦除模式，在写模式或编程模式中将数据存储在存储单元中，在读模式中从存储单元读取数据，在擦除模式中从存储单元擦除已存储的数据。在开发用于有效存储数据的非易失性存储器时，需要考虑这些操作特性和诸如制造工艺特性和结构特性之类的其他各种特性。在制造非易失性存储器的过程中，在晶片阶段期间执行测试以便了解最优操作条件。在考虑到...
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