技术编号:9262188
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在晶体管的高K介质/后金属栅工程中,在衬底上形成多个伪栅结构以后,需要在多个伪栅结构之间填充层间介质层,在去除伪栅后,层间介质层形成具有对应伪栅形状的开口,在开口中填充金属栅极,以形成高K介质/后金属栅结构。随着集成电路上的晶体管密度的不断提高,金属栅极的尺寸、金属栅极之间的间距也不断缩小,相应地伪栅结构的间距也不断缩小,在多个伪栅结构之间填充层间介质层的过程中,层间介质层很难填充到多个伪栅结构之间较小的间距中,这样形成的层间介质层形貌不平整,并且在层间介...
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