技术编号：9262192
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。为了使上层互连金属线更好地连通半导体器件的栅极和源/漏极，在形成栅极和源/漏极之后，出于静电防护的考量，需要在栅极顶部和源/漏极顶部的指定区域形成自对准硅化物。对于传统的自对准硅化物形成工艺而言，栅极自对准硅化物与源/漏极自对准硅化物是同时形成的。为了在栅极顶部和源/漏极顶部的指定区域形成自对准硅化物，在形成自对准硅化物之前，需要形成经过图案化处理的自对准硅化物阻挡层，以定义出所述需形成自对准硅化物的指定区域。随着半导体器件特征尺寸的不断缩减，在通过形成上...
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