技术编号：9262250
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的发展,集成电路向着高集成度的方向发展。高集成度的要求使半导体器件的线宽越来越小，线宽的减小对集成电路的形成工艺提出了更高的要求。半导体器件通常由多层金属层、多层介质层形成，随着线宽的减小，现在介质层多采用介电常数小于3的低介电常数的介质材料。现有技术在形成低k介质层之后，还会在低k介质层上形成硬掩膜层，防止低k介质层与化学溶液发生反应。具体地，参考图1A-1D示出了现有技术半导体器件制造方法形成的半导体器件一实施例的示意图。如图1A所示，首...
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