技术编号:9262295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在很多应用中,例如,与图像信号处理器(ISP)堆叠的背面照光传感器(BSI)Jf频前端模块片上系统(RF FEM S0C),3D集成的手机非易失存储器(NVM)片上系统等,氧化物融合晶圆到晶圆键合是用于堆叠晶片形成3DIC的最重要且可行的方式之一。传统的晶片间的互连是通过两个硅通孔(TSV)垂直地连接堆叠的晶片中的每一个晶片(具体地,连接晶片上的合适的互连金属层),再通过一个横向导电互连件连接两个硅通孔。采用这一方法互连的半导体器件的结构如图1所示,包括堆...
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