技术编号：9262322
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。非易失性存储器件是一种即使不供电时也能保持储存的数据的存储器件。已经广泛地利用了诸如快闪存储器之类的各种非易失性存储器件。由于增加二维(2D)非易失性存储器件(其中，单层的存储单元形成在半导体衬底之上)的集成度受到限制，所以开发了 3D非易失性存储器件(其中，存储单元沿着从半导体衬底垂直突出的沟道层形成)。3D非易失性存储器件可以具有线形状的沟道层或U形状的沟道层。具有线形状的沟道层的3D非易失性存储器件包括分别形成在层叠的存储单元之上和之下的位线和源极线...
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