技术编号:9262341
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更具体地说,涉及一种半导体器件的集电极结构及T1-1GBT0背景技术T1-1GBT (Triple Mode Integrate-1nsulated Gate Bipolar Transistor,三模式集成绝缘栅型双极晶体管)是一种将传统的VDMOS (Vertical Double Diffused MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管...
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