技术编号:9262350
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在专利文献I中公开了一种具有第一氮化物层、与第一氮化物层形成异质结的第二氮化物层、与第二氮化物层相接的P型氮化物层、与P型氮化物层相接的η型氮化物层和与η型氮化物层连接的栅电极的HEMT(High Electron Mobility Transistor高电子迀移率晶体管)。该HEMT将被形成在第一氮化物层与第二氮化物层的界面上的2DEG(Two-Dimens1nal Electron Gas二维电子气)沟道作为电流路径而使用。由于当栅电压较低时,通过从P...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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