技术编号:9262367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。将超结SJ (Super Junct1n)技术应用于 LDMOS (Lateral Double-diffusedM0SFET)形成SJ-LDMOS结构是LDMOS器件研宄的热点。由于SJ-LDMOS在一定的击穿电压BV(Breakdown Voltage)条件下具有非常低的导通电阻Rqn,打破了传统功率MOS器件的极限关系,已被广泛应用于超低功耗PIC(Power Integrated Circuit)设计中。然而在SJ-LDMOS实现的过程中遇到了许多...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。