技术编号:9264374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 高纯度多晶体硅(多晶硅)作为起始材料用于通过坩埚拉制(CZ)或区域熔融法 (FZ)制备用于半导体的单晶硅,以及通过各种拉制和铸造方法制备单晶体或多晶体硅,以 制备光伏太阳能电池。 多晶硅通常通过西门子法制备。该方法包括将包含一种或多种含硅组分和任选存 在的氢的反应气体引入包括通过直接通电加热的支撑体的反应器中,硅以固体的形式沉积 到支撑体上。所使用的含硅组分优选硅烷(SiH4)、一氯硅烷(SiH3Cl)、二氯硅烷(SiH 2Cl2)、 三氯硅烷(...
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