技术编号:9271287
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度,所以加热盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。多半半导体薄膜沉积设备,在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应,因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放,加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升;如果在进行相同温度下的工艺,需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行,这样会耗费大量的时间,设备的产能相对比较低。如果晶圆和加热盘的温度升温过快,晶圆和加热...
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