一种限制器件模型适用温度范围的方法技术资料下载

技术编号:9274472

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随着集成电路技术的发展和越来越广泛的应用,集成电路设计时必须考虑其高可 靠性、高性能、低成本的要求,人们对IC CAD软件统计容差分析、优化设计、成品率、成本分 析及可靠性预测的功能和精度要求也越来越高。而在IC CAD软件中,MOSFET的器件模型 是将1C设计和1C产品功能与性能联系起来的关键纽带。伴随着集成器件尺寸越来越小, 集成规模越来越大,集成电路工序越来越复杂,对器件模型的精度要求也越来越高。如何提 供一个精确的MOSFET模型无疑已成为IC...
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