技术编号:9275636
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。娃-氧化物-氮化物-氧化物-娃(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon,S0N0S)存储器的单元结构包括一个存储单元(cell)管和一个选择管,两个器件的栅介质层在存储器工作时承受的纵向电场强度都大于CMOS器件,因此两个器件都存在较大的GIDL漏电流。S0N0S存储器的cell管的沟道内已经有较高浓度的N型杂质掺杂以形成耗尽管,cell管所需要的轻掺杂漏区(LDD)的掺杂浓度要比选择管低。而选择管和cell管共用LDD和H...
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