技术编号:9275656
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及超结结构的半导体器件及其制造方法、光刻版。背景技术高压超结MOS器件相对于平面功率MOS器件,在具备可以承受高耐压的特点的同时,还具有相对较低的导通电阻等其他优点。参考图1,以N型器件为例,高压超结MOS器件主要包括半导体衬底101、外延层102、体区103、P型掺杂区104、源区105、栅极结构106以及金属层107。N型沟道的超结结构的MOS器件与平面结构MOS器件在结构上的区别,主要在于前者的体区103下面还具有P型掺杂区104,用以增加P...
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