技术编号:9275679
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,对晶体硅太阳电池表面进行钝化保护的薄膜材料主要包括二氧化钛(Ti02)、二氧化硅(Si02)、三氧化二铝(A1203)、氮化硅(SiNx)、氢化非晶硅(a-S1H)等薄膜材料,在硅片清洗过后,通过热氧化、蒸镀、原子层沉积(ALD)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)等方法进行制备。这些钝化材料都具有高度的绝缘性,例如S12电阻率约为10 18Ω.cm, Al2O3电阻率约为10 15 Ω.cm。高电阻率的薄膜不利于电流的传导,在对电池进行良好钝化的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。