技术编号:9275696
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及太阳能电池领域,具体涉及一种多结GaAs薄膜太阳能电池。背景技术 目前,在光伏市场上,各种材料的薄膜太阳能电池以其特有的优势和逐渐成熟的 工艺技术占有了光伏市场的一席之地,而且成长速度非常快。 薄膜太阳能电池的产品类型主要有CdTe薄膜电池、硅基薄膜电池和铜铟镓锡 (CIGS)薄膜电池。与常规的晶体硅太阳能电池相比,上述薄膜电池使用材料很少,构成太 阳能电池的薄膜材料厚度不超过50微米,而晶体硅电池厚度约180微米~200微米。除此 之外,薄膜...
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