一种过渡金属氧化物-硅异质结太阳能电池及其制备方法技术资料下载

技术编号:9275697

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本发明属于太阳能电池制备,具体涉及。背景技术第一代单晶硅太阳能电池由于其相对其它太阳能电池具有更高的转换效率和稳定性而被广泛应用在生活中。但是一方面硅作为一种间接带隙半导体材料,而且吸收系数小,需要大于200微米的硅片才能更好的吸收光。另一面,制造高转换效率的器件必须要求高纯度的硅片。而且,太阳能电池的制造工艺复杂,在制造的过程中,能耗也是非常大的。如何减小这些因素的影响,降低成本成为了人们的关注的焦点。为了降低硅太阳能电池的制造成本,人们通过制备硅的三维...
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