技术编号:9275737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于自旋电子学领域,更具体地,涉及一种磁隧道结单元及制备方法。背景技术 随着新型计算机、信息和通信等电子信息技术的飞速发展,对作为其核心部件的 存储器提出了高密度、高速度、高写入效率、高可靠性等高性能要求。各种半导体存储器,如 静态随机存储器(SRAM Static Random Access Memory)、动态随机存储器(DRAM Static Random Access Memory)以及闪速存储器(flash)等存储器因具备各自的优点已经得...
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