技术编号:9277789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 近年来,半导体制造技术的微细化在不断发展,在最尖端的工艺中,正在采用线宽 为20皿、进而为10皿的一代。伴随着微细化,其加工时的技术难度也在提高,通过从所使用 的材料、装置、加工方法等多方面出发的途径,推进着技术开发。 因为该样的状况,作为能够应对最尖端的干蚀刻工艺的干蚀刻用气体,开发了 1H-走氣环戊締(专利文献1)。该化合物,作为娃氧化膜的蚀刻气体,具有优于目前在工业 上通用的六氣-1,3-了二締的性能,其有用性正在得到认可。 作为制造1H-走氣环戊...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。