技术编号：9278267
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明相关申请的交叉引用本申请要求于2013年2月14日递交的美国临时申请第61/764,881号的权益，该临时申请在此通过引用全文并于本文。本发明涉及一种在衬底上形成规则地间隔的光刻特征的方法，该方法利用在设置在衬底上的沟道中进行嵌段共聚物的自组装来实现。该方法可用于形成场效应晶体管的一个或多个晶体管导电通道。背景技术在器件制造的光刻术中，要求减小光刻图案中的特征的尺寸以便提高在给定衬底区域上特征的密度。具有纳米级临界尺寸(CD)的较小特征的图案允许更...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。