技术编号：9284844
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学气相沉积制备薄膜的方法，尤其是。发明背景单层二硫化钼(MoS2)是一种新型的二维半导体材料，具有一个理想的能带间隙(1.8eV)，基于它的场效应管(FET)不仅能够获得18的高开关比，并且具有较低的能量损耗。另一方面，二硫化钼晶体单层结构是一种直接带隙半导体，能带结构的变化能够有效的提高单层二硫化钼的荧光效率和光吸收截面。在单层二硫化钼的蜂窝状结构中钼原子和硫原子交替占据相邻的晶格点位，宏观晶体具有的中心反演对称被破坏；同时，过渡金属元素d电...
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